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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GW3B2CN1E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 40/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1473K |
| 代理商： | NAND01GW3B2CN1E |
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NAND01G-B2C
Maximum ratings
45/65
10
Maximum ratings
Stressing the device above the ratings listed in Table 19: Absolute maximum ratings, may
cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operating sections of
this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Table 19.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
Min
Max
TBIAS
Temperature under bias
– 50
125
°C
TSTG
Storage temperature
– 65
150
°C
VIO
(1)
1.
Minimum voltage may undershoot to –2 V for less than 20 ns during transitions on input and I/O pins.
Maximum voltage may overshoot to VDD + 2 V for less than 20 ns during transitions on I/O pins.
Input or output voltage
1.8 V devices
– 0.6
2.7
V
3 V devices
– 0.6
4.6
V
VDD
Supply voltage
1.8 V devices
– 0.6
2.7
V
3 V devices
– 0.6
4.6
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| NAND01GW4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GW3B2CN1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
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| NAND01GW3B2CN6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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