參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GW3B2CN1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 26/65頁
文件大?。?/td> 1473K
代理商： NAND01GW3B2CN1E
Device operations
NAND01G-B2C
6.8
Read electronic signature
The device contains a manufacturer code and device code. To read these codes three steps
are required:
1.
One bus write cycle to issue the Read Electronic Signature command (90h)
2.
One bus write cycle to input the address (00h)
3.
Four bus read cycles to sequentially output the data (as shown in Table 12: Electronic
Table 12.
Electronic signature
Part number
byte/word 1
byte/word 2
byte/word 3
(see Table 13)
byte/word 4
(see Table 14)
Manufacturer
code
Device code
NAND01GR3B2C
20h
A1h
00h
15h
NAND01GW3B2C
F1h
1Dh
NAND01GR4B2C
B1h
55h
NAND01GW4B2C
C1h
5Dh
Table 13.
Electronic signature byte 3
I/O
Definition
Value
Description
I/O1-I/O0
Internal chip number
0 0
0 1
1 0
1 1
1
2
4
Reserved
I/O3-I/O2
Cell type
0 0
0 1
1 0
1 1
Single level cell
2x multilevel cell
Reserved
I/O5-I/O4
Number of simultaneously
programmed pages
0 0
0 1
1 0
1 1
1
2
3
4
I/O6
Interleaved programming
between multiple devices
0
1
Not supported
Supported
I/O7
Cache program
0
1
Not supported
Supported
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GR3B3AN6 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3BZA1F 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512W3B3CV1 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GR4B3AV1F 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND01GW3B2CN1F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CN6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND01GW3B2CN6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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