參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GW3B2CN1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 58/65頁(yè)
文件大小： 1473K
代理商： NAND01GW3B2CN1E
NAND01G-B2C
Package mechanical
61/65
12
Package mechanical
To meet environmental requirements, Numonyx offers these devices in RoHS compliant
packages, which have a lead-free second-level interconnect. The category of second-level
interconnect is marked on the package and on the inner box label, in compliance with
JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to soldering conditions are also
marked on the inner box label.
RoHS compliant specifications are available at www.numonyx.com.
Figure 37.
TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package outline
1.
Drawing is not to scale.
TSOP-G
B
e
DIE
C
L
A1
α
E1
E
A
A2
1
24
48
25
D1
L1
CP
Table 26.
TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.20
0.047
A1
0.10
0.05
0.15
0.004
0.002
0.006
A2
1.00
0.95
1.05
0.039
0.037
0.041
B
0.22
0.17
0.27
0.009
0.007
0.011
C
0.10
0.21
0.004
0.008
CP
0.08
0.003
D1
12.00
11.90
12.10
0.472
0.468
0.476
E
20.00
19.80
20.20
0.787
0.779
0.795
E1
18.40
18.30
18.50
0.724
0.720
0.728
e0.50–
–
0.020
–
L
0.60
0.50
0.70
0.024
0.020
0.028
L1
0.80
0.031
α
3°
0°
5°
3°
0°
5°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GR3B3AN6 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3BZA1F 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512W3B3CV1 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GR4B3AV1F 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND01GW3B2CN1F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CN6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND01GW3B2CN6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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