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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GW3B2CN1E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 25/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1473K |
| 代理商： | NAND01GW3B2CN1E |
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NAND01G-B2C
Device operations
31/65
6.7.3
P/E/R controller bit (SR5)
The program/erase/read controller bit indicates whether the P/E/R controller is active or
inactive. When the P/E/R controller bit is set to ‘0’, the P/E/R controller is active (device is
busy); when the bit is set to ‘1’, the P/E/R controller is inactive (device is ready).
6.7.4
Error bit (SR0)
The error bit is used to identify if any errors have been detected by the P/E/R controller. The
error bit is set to ’1’ when a program or erase operation has failed to write the correct data to
the memory. If the error bit is set to ‘0’ the operation has completed successfully.
6.7.5
SR4, SR3, SR2, and SR1 are reserved
Table 11.
Status register bits
Bit
Name
Logic level
Definition
SR7
Write protection
'1'
Not protected
'0'
Protected
SR6
Program/ erase/ read
controller
'1'
P/E/R C inactive, device ready
'0'
P/E/R C active, device busy
Cache ready/busy
'1'
Cache register ready (cache operation only)
'0'
Cache register busy (cache operation only)
SR5
Program/ erase/ read
controller
'1'
P/E/R C inactive, device ready
'0'
P/E/R C active, device busy
SR4, SR3,
SR2, SR1
Reserved
Don’t care
SR0
Generic error
‘1’
Error – operation failed
‘0’
No error – operation successful
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B3AN6 | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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| NAND512W3B3CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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| NAND01GW4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GW3B2CN1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CN6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2CN6E | 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| NAND01GW3B2CN6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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