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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GW3B2CN1E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 41/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1473K |
| 代理商： | NAND01GW3B2CN1E |
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DC and AC parameters
NAND01G-B2C
11
DC and AC parameters
This section summarizes the operating and measurement conditions, and the DC and AC
characteristics of the device. The parameters in the DC and AC characteristics tables that
follow, are derived from tests performed under the measurement conditions summarized in
Table 20: Operating and AC measurement conditions. Designers should check that the
operating conditions in their circuit match the measurement conditions when relying on the
quoted parameters.
Table 20.
Operating and AC measurement conditions
Parameter
NAND flash
Units
Min
Max
Supply voltage (VDD)
1.8 V devices
1.7
1.95
V
3 V devices
2.7
3.6
V
Ambient temperature (TA)
Grade 1
0
70
°C
Grade 6
–40
85
°C
Load capacitance (CL)
(1 TTL GATE and CL)
1.8 V devices
30
pF
3 V devices (2.7 - 3.6 V)
50
pF
Input pulses voltages
1.8 V devices
0
VDD
V
3 V devices
0
VDD
V
Input and output timing ref. voltages
VDD/2
V
Output circuit resistor Rref
8.35
k
Input rise and fall times
5
ns
Table 21.
Capacitance(1)
1.
TA = 25 °C, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input capacitance
VIN = 0 V
10
pF
CI/O
Input/output capacitance(2)
2.
Input/output capacitances double in stacked devices.
VIL = 0 V
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B3AN6 | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BZA1F | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3B3CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B3AV1F | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GW3B2CN1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CN6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2CN6E | 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| NAND01GW3B2CN6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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