參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GW3B2CN1E
廠(chǎng)商： NUMONYX
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 1/65頁(yè)
文件大小： 1473K
代理商： NAND01GW3B2CN1E
June 2009
Rev 4
1
NAND01GR3B2C NAND01GW3B2C
NAND01GR4B2C NAND01GW4B2C
1-Gbit, 2112-byte/1056-word page,
1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory
Features
■
NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
■
Supply voltage: 1.8 V/3 V
■
Page size
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) words
■
Block size
– x8 device: (128K + 4K spare) bytes
– x16 device: (64K + 2K spare) words
■
Page read/program
– Random access: 25 s (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program time: 200 s (typ)
■
Copy back program mode
■
Cache read mode
■
Fast block erase: 2 ms (typ)
■
Status register
■
Electronic signature
■
Chip enable ‘don’t care’
■
Security features
–OTP area
– Serial number (unique ID) option
– Non-volatile protection option
■
Data protection
– Hardware block locking
– Hardware program/erase locked during
power transitions
■
ONFI 1.0 support
– Cache read
– Read signature
– Read
■
Data integrity
– 100,000 program/erase cycles per block
(with ECC)
– 10 years data retention
■
RoHS compliant packages
■
Development tools
– Error correction code models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– Hardware simulation models
FBGA
TSOP48 12 x 20 mm
VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm
Table 1.
Device summary
Reference
Root part numbers
NAND01G-B2C
NAND01GR3B2C, NAND01GW3B2C
NAND01GR4B2C, NAND01GW4B2C(1)
1.
x16 organization only available for MCP products.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GR3B3AN6 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3BZA1F 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512W3B3CV1 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GR4B3AV1F 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND01GW3B2CN1F 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CN6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
NAND01GW3B2CN6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*