參數(shù)資料
型號： NAND01GW3B2CN1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 43/65頁
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代理商： NAND01GW3B2CN1E
DC and AC parameters
NAND01G-B2C
Table 22.
DC characteristics, 1.8 V devices
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating current
Sequential
read
tRLRL minimum
E = VIL, IOUT = 0 mA
–10
20
mA
IDD2
Program
–
10
20
mA
IDD3
Erase
–
10
20
mA
IDD5
Standby current (CMOS)(1)
E = VDD – 0.2,
WP = 0/VDD
–
10
50
A
ILI
Input leakage current(1)
VIN = 0 to VDDmax
–
±10
A
ILO
Output leakage current(1)
VOUT = 0 to VDDmax
–
±10
A
VIH
Input high voltage
–
0.8xVDD
–
VDD +0.3
V
VIL
Input low voltage
–
-0.3
–
0.2xVDD
V
VOH
Output high voltage level
IOH = –100 A
VDD -0.1
–
V
VOL
Output low voltage level
IOL = 100 A
–
0.1
V
IOL (RB)
Output low current (RB)
VOL = 0.1 V
3
4
mA
VLKO
VDD supply voltage (erase and
program lockout)
–
1.1
V
1.
Leakage current and standby current double in stacked devices.
Table 23.
DC characteristics, 3 V devices
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E =VIL, IOUT =0mA
–15
30
mA
IDD2
Program
–
–15
30
mA
IDD3
Erase
–
–15
30
mA
IDD4
Standby current (TTL)(1)
E =VIH, WP =0/VDD
1
mA
IDD5
Standby current (CMOS)(1)
E = VDD – 0.2,
WP = 0/VDD
–
10
50
A
ILI
Input leakage current(1)
VIN = 0 to VDDmax
–
±10
A
ILO
Output leakage current(1)
VOUT = 0 to VDDmax
–
±10
A
VIH
Input high voltage
–
0.8xVDD
–
VDD +0.3
V
VIL
Input low voltage
–
-0.3
–
0.2xVDD
V
VOH
Output high voltage level
IOH =–400A
2.4
–
V
VOL
Output low voltage level
IOL =2.1 mA
–
0.4
V
IOL (RB)
Output low current (RB)
VOL =0.4 V
8
10
mA
VLKO
VDD supply voltage (erase and
program lockout)
–
1.8
V
1.
Leakage current and standby current double in stacked devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GR3B3AN6 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
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NAND512W3B3CV1 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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參數(shù)描述
NAND01GW3B2CN1F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CN6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND01GW3B2CN6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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