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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GW3B2CN1E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 31/65頁 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GW3B2CN1E |
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NAND01G-B2C
Device operations
37/65
M
e
mo
ry
or
g
a
nizati
on
b
lo
c
k
80-83
M
Number of data bytes per page
84-85
M
Number of spare bytes per page
86-89
M
Number of data bytes per partial page
90-91
M
Number of spare bytes per partial page
92-95
M
Number of pages per block
96-99
M
Number of blocks per logical unit (LUN)
100
M
Number of logical units (LUNs)
101
M
Number of address cycles
Bit 4 to bit 7
Column address cycles
Bit 0 to bit 3
Row address cycles
102
M
Number of bits per cell
103-104
M
Bad blocks maximum per LUN
105-106
M
Block endurance
107
M
Guaranteed valid blocks at beginning of
target
108-109
M
Block endurance for guaranteed valid
blocks
110
M
Number of programs per page
111
M
Partial programming attributes
Bit 5 to bit 7
Reserved
4
1 = partial page layout is partial page
data followed by partial page spare
Bit 1 to bit 3
Reserved
0
1 = partial page programming has
constraints
112
M
Number of bits ECC correctability
113
M
Number of interleaved address bits
Bit 4 to bit 7
Reserved (0)
Bit 0 to bit 3
Number of interleaved address bits
114
O
Interleaved operation attributes
Bit 4 to bit 7
Reserved (0)
Bit 3
Address restrictions for program cache
Bit 2
1 = program cache supported
Bit 1
1 = no block address restrictions
Bit 0
Overlapped / concurrent interleaving
support
115-127
Reserved (0)
Table 16.
Parameter page data structure (continued)
Byte
O/M(1)
Description
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B3AN6 | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BZA1F | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3B3CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B3AV1F | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GW3B2CN1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CN6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2CN6E | 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| NAND01GW3B2CN6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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