- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄189002 > NAND01GW3B2CN1E (NUMONYX) 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GW3B2CN1E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 27/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1473K |
| 代理商： | NAND01GW3B2CN1E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當(dāng)前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁
NAND01G-B2C
Device operations
33/65
6.9
Read ONFI signature
To recognize NAND flash devices that are compatible with ONFI 1.0 command set, the
Read Electronic Signature command can be issued, followed by an address of 20h. The
next four-byte output is the ONFI signature, which is the ASCII encoding of the ‘ONFI’ word.
Reading beyond four bytes produces indeterminate values. The device remains in this state
until a new command is issued.
bytes.
Table 14.
Electronic signature byte/word 4
I/O
Definition
Value
Description
I/O1-I/O0
Page size
(without spare area)
0 0
0 1
1 0
1 1
1Kbyte
2Kbytes
Reserved
I/O2
Spare area size
(byte / 512-byte)
0
1
8
16
I/O3
Minimum sequential
access time
0
1
50 ns
30 ns
I/O5-I/O4
Block size
(without spare area)
0 0
0 1
1 0
1 1
64 Kbytes
128 Kbytes
256 Kbytes
Reserved
I/O6
Organization
0
1
x8
x16
I/O7
Not used
Reserved
Table 15.
Read ONFI signature
Byte
Value
ASCII character
1st byte
4Fh
O
2nd byte
4Eh
N
3rd byte
46h
F
4th byte
49h
I
5th byte
Undefined
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B3AN6 | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BZA1F | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3B3CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B3AV1F | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GW3B2CN1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CN6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2CN6E | 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| NAND01GW3B2CN6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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