參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GW3B2CN1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 50/65頁(yè)
文件大?。?/td> 1473K
代理商： NAND01GW3B2CN1E
DC and AC parameters
NAND01G-B2C
Figure 25.
Read status register AC waveforms
Figure 26.
Read electronic signature AC waveforms
1.
Refer to Table 12 for the values of the manufacturer and device codes, and to Table 13 and Table 14 for the information
contained in byte 3 and 4.
tELWH
tDVWH
Status Register
Output
70h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWH
tWHDX
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai13108b
(Data Setup time)
(Data Hold time)
tEHQX
tRHQX
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
tRLQV
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
ai08667
(Read ES Access time)
tALLRL1
00h
Byte4
Byte3
Byte1
Byte2
see Note.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GR3B3AN6 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3BZA1F 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512W3B3CV1 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GR4B3AV1F 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND01GW3B2CN1F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CN6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND01GW3B2CN6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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