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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GW3B2CN1E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 32/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1473K |
| 代理商： | NAND01GW3B2CN1E |
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Device operations
NAND01G-B2C
128
M
I/O pin capacitance
Ele
c
trical
pa
rame
te
rb
loc
k
129-130
M
Timing mode support
Bit 6 to bit 15
Reserved (0)
Bit 5
1 = supports timing mode 5
Bit 4
1 = supports timing mode 4
Bit 3
1 = supports timing mode 3
Bit 2
1 = supports timing mode 2
Bit 1
1 = supports timing mode 1
Bit 0
1 = supports timing mode 0, shall be 1
131-132
O
Program cache timing mode support
Bit 6 to bit 15
Reserved (0)
Bit 5
1 = supports timing mode 5
Bit 4
1 = supports timing mode 4
Bit 3
1 = supports timing mode 3
Bit 2
1 = supports timing mode 2
Bit 1
1 = supports timing mode 1
Bit 0
1 = supports timing mode 0
133-134
M
tPROG maximum page program time (s)
135-136
M
tBERS maximum block erase time (s)
137-138
M
tR maximum page read time (s)
139-140
M
tCCS minimum change column setup
time (ns)
141-163
M
Reserved (0)
V
e
nd
or
bl
o
c
k
164-165
M
Vendor specific revision number
166-253
M
Vendor specific
254-255
M
Integrity CRC
Red.
pa
ram.
pag
e
s
256-511
M
Value of bytes 0-255
512-767
M
Value of bytes 0-255
768+
O
Additional redundant parameter pages
1.
O = optional, M = mandatory.
Table 16.
Parameter page data structure (continued)
Byte
O/M(1)
Description
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B3AN6 | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BZA1F | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3B3CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B3AV1F | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GW3B2CN1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CN6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW3B2CN6E | 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| NAND01GW3B2CN6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GW3B2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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