參數(shù)資料
型號： KBE00G003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2
文件頁數(shù)： 87/89頁
文件大?。?/td> 1238K
代理商： KBE00G003M
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
87
Revision 0.1
0
1
2
3
4
5
6
0
10
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Mode Register Set Cycle
Key
MRS
New Command
*NOTE:
MODE REGISTER SET CYCLE
1. CS, RAS, CAS, BA0, BA1 & WE activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
BA0
DQM
DQ
Ra
Auto Refresh
Auto Refresh Cycle
1
2
3
4
5
6
7
8
9
HIGH
HIGH
New Command
* All banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
≈
*Note 2
*Note 1
*Note 3
t
ARFC
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Hi-Z
Hi-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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