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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00G003M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| 中文描述： | NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2 |
| 文件頁數(shù)： | 61/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1238K |
| 代理商： | KBE00G003M |
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KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
61
Revision 0.1
D
Q
1
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
*NOTE :
1. CKE to CLK disable/enable = 1CLK.
2. DQM makes data out Hi-Z after 2CLKs which should masked by CKE " L"
3. DQM masks both data-in and data-out.
E. BASIC FEATURE AND FUNCTION DESCRIPTIONS
1. CLOCK Suspend
2. DQM Operation
1) Clock Suspended During Write
CLK
CMD
CKE
Internal
CLK
DQ(CL2)
DQ(CL3)
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
Not Written
Suspended Dout
2) Clock Suspended During Read (BL=4)
CLK
CMD
CKE
Internal
CLK
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
Masked by CKE
Q
0
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Masked by CKE
1) Write Mask (BL=4)
2) Read Mask (BL=4)
CLK
CMD
DQM
DQ(CL2)
DQ(CL3)
CLK
CMD
DQM
DQ(CL2)
DQ(CL3)
WR
Masked by CKE
Masked by CKE
Q
2
D
0
D
1
D
3
D
0
D
1
D
3
RD
Q
0
Q
3
Q
1
Q
2
Q
3
DQM to Data-in Mask = 0
DQM to Data-out Mask = 2
3) DQM with Clock Suspended (Full Page Read)
*2
CLK
CMD
CKE
DQM
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
Q
0
Q
2
Q
4
Q
6
Q
7
Q
8
Q
1
Q
3
Q
6
Q
7
Q
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S009M | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
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