- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374311 > KBE00G003M (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | KBE00G003M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| 中文描述： | NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2 |
| 文件頁數： | 22/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1238K |
| 代理商： | KBE00G003M |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁當前第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
22
Revision 0.1
Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
I/O
0
~
7
Command
Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
CE
WE
CLE
ALE
I/O
0
~
7
A
0
~A
7
t
CLS
t
CS
t
WC
t
WP
t
ALS
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
A
9
~A
16
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
A
17
~A
24
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
ALH
A
25,,
A
26
t
DS
t
DH
t
WP
I/O
DATA
I/Ox
Data In/Out
I/O 0 ~ I/O 7
~528byte
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S009M | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。