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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KBE00G003M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| 中文描述： | NAND閃存的512Mb * 2移動(dòng)SDRAM 256Mb的* 2 |
| 文件頁數(shù)： | 15/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1238K |
| 代理商： | KBE00G003M |
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KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
15
Revision 0.1
AC TIMING CHARACTERISTICS FOR COMMAND / ADDRESS / DATA INPUT
NOTE
: 1. If tCS is set less than 10ns, tWP must be minimum 35ns, otherwise, tWP may be minimum 25ns.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
CLE setup Time
t
CLS
0
0
0
-
-
-
ns
CLE Hold Time
t
CLH
10
10
10
-
-
-
ns
CE setup Time
t
CS
0
0
0
-
-
-
ns
CE Hold Time
t
CH
10
10
10
-
-
-
ns
WE Pulse Width
t
WP
25
25
(1)
25
(1)
-
-
-
ns
ALE setup Time
t
ALS
0
0
0
-
-
-
ns
ALE Hold Time
t
ALH
10
10
10
-
-
-
ns
Data setup Time
t
DS
20
20
20
-
-
-
ns
Data Hold Time
t
DH
10
10
10
-
-
-
ns
Write Cycle Time
t
WC
45
45
45
-
-
-
ns
WE High Hold Time
t
WH
15
15
15
-
-
-
ns
PROGRAM / ERASE CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
t
PROG
(1)
-
200
500
μ
s
Dummy Busy Time for Multi Plane Program
t
DBSY
1
10
μ
s
Number of Partial Program Cycles
in the Same Page
Main Array
Nop
-
-
1
cycle
Spare Array
-
-
2
cycles
Block Erase Time
t
BERS
-
2
3
ms
NOTE
: 1.Typical program time is defined as the time within more than 50% of the whole pages are programmed at Vcc of 3.3V and 25’C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S009M | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
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