參數(shù)資料
型號： KBE00G003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2
文件頁數(shù)： 29/89頁
文件大小： 1238K
代理商： KBE00G003M
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
29
Revision 0.1
Read ID Operation
CE
CLE
I/O 0 ~ 7
WE
ALE
RE
90h
Read ID Command
Maker Code
00h
ECh
t
READ
Address. 1cycle
A5h
C0h
Multi Plane Code
ID Defintition Table
90 ID : Access command = 90H
Value
Description
1
st
Byte
2
nd
Byte
3
rd
Byte
4
th
Byte
ECh
79h
A5h
C0h
Maker Code
Device Code
Must be don’t -cared
Supports Multi Plane Operation
(Must be don’t-cared for 1.8V device)
79h
Device Code
相關PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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