參數(shù)資料
型號： KBE00G003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2
文件頁數(shù)： 25/89頁
文件大小： 1238K
代理商： KBE00G003M
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
25
Revision 0.1
Read1 Operation
(Intercepted by CE)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
Busy
00h or 01h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
24
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Page(Row)
Address
Address
Column
t
WB
t
AR
t
CHZ
t
R
t
RR
t
RC
Read2 Operation
(Read One Page)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
50h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
24
Dout
511+M
Dout 527
M Address
t
AR
t
R
t
WB
t
RR
A
0
~A
3
: Valid Address
A
4
~A
7
: Don
′
t
care
≈
≈
A
25,
A
26
A
25,
A
26
Selected
Row
Start
address M
512
16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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