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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00G003M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| 中文描述： | NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2 |
| 文件頁數(shù)： | 82/89頁 |
| 文件大小： | 1238K |
| 代理商： | KBE00G003M |
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KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
82
Revision 0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
CL=3
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Read Interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @Full Page Burst
HIGH
RAa
CL=2
Row Active
(A-Bank)
*NOTE:
1. At full page mode, burst is finished by burst stop or precharge.
2. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.
Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1, 2 on them.
But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.
Refer the timing diagram of "Full page write burst stop cycle".
3. Burst stop is valid at every burst length.
BA0
DQM
QAa3
CAa
CAb
Burst Stop
Precharge
(A-Bank)
DQ
{
QAa4
1
1
QAa2 QAa3 QAa4
2
RAa
Read
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
QAa1
QAa0
QAa2
QAa1
QAa0
QAb1
QAb0
QAb2 QAb3 QAb4 QAb5
QAb1
QAb0
QAb2 QAb3 QAb4 QAb5
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S009M | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
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