參數(shù)資料
型號： KBE00G003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2
文件頁數(shù)： 73/89頁
文件大?。?/td> 1238K
代理商： KBE00G003M
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
73
Revision 0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA0,BA1
A10/AP
WE
ADDR
DQM
: Don’t care
CLOCK
Single Bit Read-Write-Read Cycle(Same Page) @CAS Latency=3, Burst Length=1
HIGH
Ra
Ca
BS
BS
Ra
DQ
Row Active
Read
Write
Read
Row Active
Precharge
t
CC
t
CH
t
CL
t
RAS
t
RC
t
SH
t
SS
*Note 1
t
RCD
t
RP
t
SH
t
SS
t
SH
t
SS
t
SH
*SS
*Note 2,3
*Note 2,3
BS
*Note 2,3 *Note 4
BS
*Note 2
BS
*Note 3
*Note 3
*Note 3
*Note 4
t
SS
t
SH
t
OH
t
SLZ
t
SAC
t
SH
t
SS
t
SH
t
SS
*NOTE:
1. All input except CKE & DQM can be don't care when CS is high at the CLK high going edge.
2. Bank active & read/write are controlled by BA0,BA1.
Cb
Cc
Rb
BS
Qa
Db
Qc
Rb
相關PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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