參數(shù)資料
型號(hào)： KBE00G003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動(dòng)SDRAM 256Mb的* 2
文件頁(yè)數(shù)： 6/89頁(yè)
文件大小： 1238K
代理商： KBE00G003M
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
6
Revision 0.1
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
WP
CLE
WE
RE
R/B
CE
IO0 to IO7
CS
CAS
RAS
CKE
WEd
CLK
A0~A12
LDQM
BA0~BA1
UDQM
ALE
1Gb NAND
Flash Memory
DQ0 to DQ15
512Mb Mobile
SDRAM
V
dd
V
ddq
V
cc
V
ccq
V
ss
V
ss
V
ssq
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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