- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374311 > KBE00G003M (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KBE00G003M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| 中文描述： | NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2 |
| 文件頁數(shù)： | 71/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1238K |
| 代理商： | KBE00G003M |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁當(dāng)前第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
71
Revision 0.1
Power Up Sequence
Single Bit Read - Write - Read Cycle(Same Page) @CAS Latency=3, Burst Length=1
Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
Page Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length=4
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
Read & Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
Read & Write Cycle With Auto Precharge l @Burst Length=4
Read & Write Cycle With Auto Precharge ll @Burst Length=4
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Letency=2, Burst Length=4
Read Interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Full Page Burst
Write Interrupted by Precharge Command & Write Burst Stop Cycle @ Full Page Burst, tRDL=2CLK
Burst Read Single bit Write Cycle @Burst Length =2
Active/precharge Power Dower Down Mode @CAS Latency=2 Burst Length=4
Self Refresh Entry & Exit Cycle & Exit Cycle
Mode Register Set Cycle and Auto Refresh Cycle
Extended Mode Register Set Cycle
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S009M | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。