參數(shù)資料
型號(hào): KBE00G003M
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述: NAND閃存的512Mb * 2移動(dòng)SDRAM 256Mb的* 2
文件頁(yè)數(shù): 4/89頁(yè)
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代理商: KBE00G003M
July 2005
4
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
Revision 0.1
PIN CONFIGURATION
107 FBGA: Top View (Ball Down)
1
2
3
4
5
6
7
8
NC
DQ0
Vdd
Vss
Vcc
NC
A3
NC
Vss
DQ2
DQ1
CLE
CE
A0
A1
A2
Vddq
DQ4
DQ3
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WE
BA0
BA1
A10
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DQ6
DQ5
RE
R/B
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NC
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Vddq
NC
DQ7
WP
NC
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Vss
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NC
A12
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Vdd
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A8
A9
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NC
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NC
NC
NC
NC
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IO3
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A5
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DQ13
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NC
NC
NC
NC
A4
NC
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Vss
Vss
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Vss
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DNU
DNU
DNU
DNU
DNU
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DNU
DNU
DNU
DNU
DNU
N
P
NAND
M-SDR
NC
NC
NC
NC
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
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參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
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KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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