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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KBE00G003M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| 中文描述： | NAND閃存的512Mb * 2移動(dòng)SDRAM 256Mb的* 2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 65/89頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1238K |
| 代理商： | KBE00G003M |
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KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
65
Revision 0.1
*NOTE:
1. SAMSUNG can support tRDL=2CLK.
2. tBDL : 1 CLK ; Last data in to burst stop delay.
Read or write burst stop command is valid at every burst length.
3. Number of valid output data after row precharge or burst stop : 1, 2 for CAS latency= 2, 3 respectively.
4. PRE : All banks precharge is necessary.
MRS can be issued only at all banks precharge state.
1
2
1
2
*4
tRP
2CLK
tRDL
*1
tBDL
*2
8. Burst Stop & Interrupted by Precharge
9. MRS
1) Normal Write
BL=4 & tRDL=2CLK
D
0
D
1
D
2
2) Write Burst Stop (BL=8)
CMD
DQ
CLK
DQM
WR
PRE
CLK
CMD
DQM
DQ
WR
STOP
D
0
D
1
D
2
D
3
3) Read Interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
4) Read Burst Stop (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
STOP
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
1) Mode Register Set
CLK
CMD
PRE
MRS
ACT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00G003M-D411 | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
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