參數(shù)資料
型號： KBE00G003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2
文件頁數(shù)： 63/89頁
文件大?。?/td> 1238K
代理商： KBE00G003M
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
63
Revision 0.1
*NOTE:
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
Hi-Z
Hi-Z
*1
Hi-Z
Hi-Z
*1
Hi-Z
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
ii) CMD
DQM
(a) CL=2, BL=4
i) CMD
DQ
CLK
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
v) CMD
DQ
DQM
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
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D
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D
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RD
WR
D
0
D
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D
2
D
3
RD
WR
Q
0
D
0
D
1
D
2
D
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RD
WR
D
0
D
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D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
Q
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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