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參數(shù)資料
| 型號： | XCF128XFTG64C |
| 廠商： | Xilinx Inc |
| 文件頁數(shù)： | 75/88頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC PROM SRL 128M GATE 64-FTBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 可編程類型： | 系統(tǒng)內(nèi)可編程 |
| 存儲容量： | 128Mb |
| 電源電壓： | 1.7 V ~ 2 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 64-TBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 64-TFBGA |
| 包裝： | 托盤 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 122-1578 |
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Platform Flash XL High-Density Configuration and Storage Device
DS617 (v3.0.1) January 07, 2010
Product Specification
77
R
Notes:
1.
To read the memory in Asynchronous mode, the CR15 Configuration Register bit must be written to 1.
Figure 45: Buffer Enhanced Factory Program Flowchart and Pseudocode
Write 80h to
Address WA1
Start
Write D0h to
Address WA1
Write FFFFh to
Address = NOT WA1
Read Status
Register
SR7 = 0
NO
SR0 = 0
YES
Read Status Register
SR3 and SR1for errors
Exit
Write PDX
Address WA1
Increment Count
X = X + 1
Initialize count
X = 0
X = 32
YES
Read Status
Register
Last data?
YES
Read Status
Register
SR7 = 1
YES
Full Status Register
Check
End
YES
SR4 = 1
NO
SETUP PHASE
PROGRAM AND
VERIFY PHASE
EXIT PHASE
Buffer_Enhanced_Factory_Program_Command
(start_address, DataFlow[]) {
writeToFlash (start_address, 0x80) ;
writeToFlash (start_address, 0xD0) ;
do {
status_register = readFlash (start_address);
if (status_register.SR4==1) { /*error*/
if (status_register.SR3==1) error_handler ( ) ;/*VPP error */
if (status_register.SR1==1) error_handler ( ) ;/* Locked Block */
}
while (status_register.SR7==1)
x=0; /* initialize count */
do {
writeToFlash (start_address, DataFlow[x]);
x++;
}while (x<32)
do {
status_register = readFlash (start_address);
}while (status_register.SR0==1)
} while (not last data)
writeToFlash (another_block_address, FFFFh)
do {
status_register = readFlash (start_address)
}while (status_register.SR7==0)
full_status_register_check();
}
DS617_39_101608
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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