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參數(shù)資料
| 型號： | XCF128XFTG64C |
| 廠商： | Xilinx Inc |
| 文件頁數(shù)： | 10/88頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC PROM SRL 128M GATE 64-FTBGA |
| 標準包裝： | 1 |
| 可編程類型： | 系統(tǒng)內(nèi)可編程 |
| 存儲容量： | 128Mb |
| 電源電壓： | 1.7 V ~ 2 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 64-TBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 64-TFBGA |
| 包裝： | 托盤 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 122-1578 |
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Platform Flash XL High-Density Configuration and Storage Device
DS617 (v3.0.1) January 07, 2010
Product Specification
18
R
Table 7: Standard Commands(1)
Commands
Cyc
les
Bus Operations
First Cycle
Second Cycle
Op.
Add.
Data
Op.
Add.
Data
Read Array
1+
Write
BKA
FFh
Read
WA
RD
Read Status Register
1+
Write
BKA
70h
Read
BKA(2)
SRD
Read Electronic
Signature
1+
Write
BKA
90h
Read
BKA(2)
ESD
Read CFI Query
1+
Write
BKA
98h
Read
BKA(2)
QD
Clear Status Register
1
Write
X
50h
–
Block Erase
2
Write
BKA or BA(3)
20h
Write
BA
D0h
Program
2
Write
BKA or WA(3)
40h
or 10h
Write
WA
PD
Buffer Program(4)
n+4
Write
BA
E8h
Write
BA
n
Write
PA1
PD1
Write
PA2
PD2
Write
PAn+1
PDn+1
Write
X
D0h
Program/Erase Suspend
1
Write
X
B0h
–
Program/Erase Resume
1
Write
X
D0h
–
Protection Register
Program
2Write
PRA
C0h
Write
PRA
PRD
Set Configuration
Register
2
Write
CRD
60h
Write
CRD
03h
Block Lock
2
Write
BKA or BA(3)
60h
Write
BA
01h
Block Unlock
2
Write
BKA or BA(3)
60h
Write
BA
D0h
Block Lock-Down
2
Write
BKA or BA(3)
60h
Write
BA
2FH
Notes:
1.
X = Don't Care, WA = Word Address in targeted bank, RD =Read Data, SRD =Status Register Data, ESD = Electronic Signature Data, QD
=Query Data, BA =Block Address, BKA = Bank Address, PD = Program Data, PA = Program address, PRA = Protection Register Address,
PRD = Protection Register Data, CRD = Configuration Register Data.
2.
Must be same bank as in the first cycle. The signature addresses are listed in Table 9, page 21.
3.
Any address within the bank can be used.
4.
n+1 is the number of words to be programmed.
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PDF描述 |
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