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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XCF128XFTG64C |
| 廠商： | Xilinx Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/88頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC PROM SRL 128M GATE 64-FTBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 可編程類型： | 系統(tǒng)內(nèi)可編程 |
| 存儲(chǔ)容量： | 128Mb |
| 電源電壓： | 1.7 V ~ 2 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 64-TBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 64-TFBGA |
| 包裝： | 托盤 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 122-1578 |
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Platform Flash XL High-Density Configuration and Storage Device
DS617 (v3.0.1) January 07, 2010
Product Specification
46
R
Table 27: DC Characteristics: Voltages
Symbol
Parameter
Test condition
Min
Typ
Max
Unit
VIL
Input Low voltage
–
0
–
0.4
V
VIH
Input High voltage
–
VDDQ –0.4
–
VDDQ + 0.4
V
VOL
Output Low voltage
IOL = 100 μA
–
0.1
V
VOH
Output High voltage
IOH = –100 μAVDDQ –0.1
–
V
VPP1
VPP program voltage-logic
Program, Erase
VDDQ –0.4
–
VDDQ +0.4
V
VPPH
VPP program voltage factory
Program, Erase
8.5
9.0
9.5
V
VPPLK
Program or erase lockout
–
0.4
V
VDDPD
VDD power-down threshold
–
1.5
V
VDDPOR
VDD power-on reset threshold
–
1.6
V
VDQPOR
VDDQ power-on reset threshold
–
1.6
V
X-Ref Target - Figure 25
Notes:
1.
Write Enable, W, is High, READY_WAIT is active Low.
2.
Latch Enable, L, can be kept Low (also at board level) when the Latch Enable function is not required or supported.
Figure 25: Asynchronous Random Access Read AC Waveforms, CR4 = 0
T
AVAV
T
ELQX
T
EHQX
T
GLQV
T
GLQX
T
GHQX
DQ15–DQ0
E
G
T
ELQV
T
EHQZ
T
GHQZ
VALID
A22–A0
VALID
L(2)
T
ELLH
T
LLQV
T
LLLH
T
AVLH
T
LHAX
T
AXQX
READY_WAIT(1)
T
ELTV
T
EHTZ
Hi-Z
T
AVQV
T
GLTV
T
GHTZ
DS617_20_101608
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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