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參數(shù)資料
| 型號： | S29WS128N0LBFW010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 11.60 X 8 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 72/95頁 |
| 文件大?。?/td> | 1745K |
| 代理商： | S29WS128N0LBFW010 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁當前第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁
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S29WSxxxN_00_F0 October 29, 2004
Pr e l i m i n a r y
Figure 11.2. Chip/Sector Erase Operation Timings: WE# Latched Addresses
OE#
CE#
Data
Addresses
AVD#
WE#
CLK
VCC
tAS
tWP
tAH
tWC
tWPH
SA
tVCS
tCS
tDH
tCH
In
Progress
tWHWH2
VA
Complete
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
tDS
10h for
chip erase
555h for
chip erase
VIH
VIL
tAVDP
55h
2AAh
30h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29WS256N0PBAW011 | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| S29WS256N0LBFI011 | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| S2L40U | 1.4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| S2SD-05-24-L-02.75-SR | 10 CONTACT(S), FEMALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, IDC, SOCKET |
| S2SD-05-24-L-02.75-S | 10 CONTACT(S), FEMALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, IDC, SOCKET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29WS128N0LBFW011 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| S29WS128N0LBFW012 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
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