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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 68HC11 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Technical Data |
| 中文描述： | 技術(shù)數(shù)據(jù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 250/336頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3387K |
| 代理商： | 68HC11 |
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Technical Data
MC68HC11E Family
—
Rev. 4
250
Electrical Characteristics
MOTOROLA
Electrical Characteristics
11.20 EEPROM Characteristics
11.21 MC68L11E9/E20 EEPROM Characteristics
Characteristic
(1)
1. V
DD
= 5.0 Vdc
±
10%, V
SS
= 0 Vdc, T
A
= T
L
to T
H
2. The RC oscillator (RCO) must be enabled (by setting the CSEL bit in the OPTION register) for EEPROM programming and
erasure when the E-clock frequency is below 1.0 MHz.
Temperature Range
Unit
–
40 to 85
°
C
–
40 to 105
°
C
–
40 to 125
°
C
Programming time
(2)
<
1.0 MHz, RCO enabled
1.0 to 2.0 MHz, RCO disabled
≥
2.0 MHz (or anytime RCO enabled)
10
20
10
15
Must use RCO
15
20
Must use RCO
20
ms
Erase time
(2)
Byte, row, and bulk
10
10
10
ms
Write/erase endurance
10,000
10,000
10,000
Cycles
Data retention
10
10
10
Years
Characteristic
(1)
1. V
DD
= 3.0 Vdc to 5.5 Vdc, V
SS
= 0 Vdc, T
A
= T
L
to T
H
2. The RC oscillator (RCO) must be enabled (by setting the CSEL bit in the OPTION register) for EEPROM programming and
erasure.
Temperature Range
–
20 to 70
°
C
Unit
Programming time
(2)
3 V, E
≤
2.0 MHz, RCO enabled
5 V, E
≤
2.0 MHz, RCO enabled
25
10
ms
Erase time
(2)
(byte, row, and bulk)
3 V, E
≤
2.0 MHz, RCO enabled
5 V, E
≤
2.0 MHz, RCO enabled
25
10
ms
Write/erase endurance
10,000
Cycles
Data retention
10
Years
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PDF描述 |
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| 68HC11E1FN | 制造商:undefined 功能描述: |
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