參數(shù)資料
型號: 28F640C3
廠商: Intel Corp.
英文描述: 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器)
中文描述: 3伏高級啟動塊閃存(3伏高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器)
文件頁數(shù): 64/70頁
文件大小: 894K
代理商: 28F640C3
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
58
3UHOLPLQDU\
Appendix E Word-Wide Memory Map Diagrams
8-Mbit Word-Wide Memory Addressing
Top Boot
Bottom Boot
Size
(KW)
8 Mbit
Size
(KW)
8 Mbit
4
7F000-7FFFF
32
78000-7FFFF
4
7E000-7EFFF
32
70000-77FFF
4
7D000-7DFFF
32
68000-6FFFF
4
7C000-7CFFF
32
60000-67FFF
4
7B000-7BFFF
32
58000-5FFFF
4
7A000-7AFFF
32
50000-57FFF
4
79000-79FFF
32
48000-4FFFF
4
78000-78FFF
32
40000-47FFF
32
70000-77FFF
32
38000-3FFFF
32
68000-6FFFF
32
30000-37FFF
32
60000-67FFF
32
28000-2FFFF
32
58000-5FFFF
32
20000-27FFF
32
50000-57FFF
32
18000-1FFFF
32
48000-4FFFF
32
10000-17FFF
32
40000-47FFF
32
08000-0FFFF
32
38000-3FFFF
32
07000-07FFF
32
30000-37FFF
32
06000-06FFF
32
28000-2FFFF
32
05000-05FFF
32
20000-27FFF
32
04000-04FFF
32
18000-1FFFF
32
03000-03FFF
32
10000-17FFF
32
02000-02FFF
32
08000-0FFFF
32
01000-01FFF
32
00000-07FFF
32
00000-00FFF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
28M0U 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DS 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F640C3BC80 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3C120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3C-120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J5 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory