參數(shù)資料
型號： 28F640C3
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器)
中文描述： 3伏高級啟動塊閃存（3伏高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 30/70頁
文件大小： 894K
代理商： 28F640C3
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
24
3UHOLPLQDU\
4.2
Operating Conditions
NOTES:
1. V
CC
and V
CCQ
must share the same supply when they are in the V
CC1
range.
2. V
CC
Max = 3.3 V for 32-Mbit and 64-Mbit devices.
3. Applying V
PP
= 11.4 V–12.6 V during a program/erase can only be done for a maximum of 1000 cycles on
the main blocks and 2500 cycles on the parameter blocks. V
PP
may be connected to 12 V for a total of
80 hours maximum. See
Section 3.5
for details
.
4.3
Capacitance
T
A
=
25 °C, f = 1 MHz
NOTE:
1. Sampled, not 100% tested.
Table 10. Temperature and Voltage Operating Conditions
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Units
T
A
Operating Temperature
–40
+85
°C
V
CC1
V
CC
Supply Voltage
1, 2
2.7
3.6
Volts
V
CC2
1, 2
3.0
3.6
V
CCQ1
I/O Supply Voltage
1
2.7
3.6
Volts
V
PP1
Supply Voltage
1
1.65
3.6
Volts
V
PP2
1, 3
11.4
12.6
Volts
Cycling
Block Erase Cycling
3
100,000
Cycles
Sym
Parameter
Notes
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
Input Capacitance
1
6
8
pF
V
IN
= 0 V
C
OUT
Output Capacitance
1
10
12
pF
V
OUT
= 0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
28M0U 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DS 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F640C3BC80 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3C120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3C-120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J5 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*