參數(shù)資料
型號： 28F640C3
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器)
中文描述： 3伏高級啟動(dòng)塊閃存（3伏高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 46/70頁
文件大?。?/td> 894K
代理商： 28F640C3
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
40
3UHOLPLQDU\
5.0
Ordering Information
NOTE:
1.
The second line of the 48-ball μBGA package top side mark specifies assembly codes. For samples only, the
first character signifies either “E” for engineering samples or “S” for silicon daisy chain samples. All other
assembly codes without an “E” or “S” as the first character are production units.
VALID COMBINATIONS (All Extended Temperature)
48-Lead TSOP
48-Ball μBGA* CSP
48-Ball VF BGA
Easy BGA
Extended
64 Mbit
TE28F640C3TC90
TE28F640C3BC90
GT28F640C3TC90
GT28F320C3BC90
RC28F640C3TC90
RC28F640C3BC90
TE28F640C3TC100
TE28F640C3BC100
GT28F320C3TC100
GT28F320C3BC100
RC28F640C3TC100
RC28F640C3BC100
Extended
32 Mbit
TE28F320C3TC80
TE28F320C3BC80
GE28F320C3TC80
GE28F320C3BC80
RC28F320C3TC80
RC28F320C3BC80
TE28F320C3TC90
TE28F320C3BC90
GE28F320C3TC90
GE28F320C3BC90
RC28F320C3TC90
RC28F320C3BC90
TE28F320C3TA100
TE28F320C3BA100
GT28F320C3TA100
GT28F320C3BA100
RC28F320C3TA100
RC28F320C3BA100
TE28F320C3TA110
TE28F320C3BA110
GT28F320C3TA110
GT28F320C3BA110
RC28F320C3TA110
RC28F320C3BA110
Extended
16 Mbit
TE28F160C3TC70
TE28F160C3BC70
GE28F160C3TC70
GE28F160C3BC70
RC28F160C3TC70
RC28F160C3BC70
TE28F160C3TC80
TE28F160C3BC80
GE28F160C3TC80
GE28F160C3BC80
RC28F160C3TC80
RC28F160C3BC80
TE28F160C3TA90
TE28F160C3BA90
GT28F160C3TA90
GT28F160C3BA90
RC28F160C3TA90
RC28F160C3BA90
TE28F160C3TA110
TE28F160C3BA110
GT28F160C3TA110
GT28F160C3BA110
RC28F160C3TA110
RC28F160C3BA110
Extended
8 Mbit
TE28F800C3TA90
TE28F800C3BA90
RC28F800C3TA90
RC28F800C3BA90
TE28F800C3TA110
TE28F800C3BA110
RC28F800C3TA110
RC28F800C3BA110
T E 2 8 F 3 2 0 C 3 T C 8 0
Package
TE = 48-Lead TSOP
GT = 48-Ball μBGA* CSP
GE = VF BGA CSP
RC = Easy BGA
Product line designator
for all Intel
Flash products
Access Speed (ns)
(70, 80, 90, 100, 110)
Product Family
C3 = 3 Volt Advanced+ Boot Block
V
CC
= 2.7 V - 3.6 V
V
PP
= 2.7 V - 3.6 V or 11.4 V - 12.6 V
Device Density
640 = x16 (64 Mbit)
320 = x16 (32 Mbit)
160 = x16 (16 Mbit)
800 = x16 (8 Mbit)
T =
Top Blocking
B =
Bottom Blocking
Lithography
A = 0.25 μm
C = 0.18 μm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
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28M0DC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DS 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
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參數(shù)描述
28F640C3BC80 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3C120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3C-120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J5 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory
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