參數(shù)資料
型號： 28F640C3
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器)
中文描述： 3伏高級啟動塊閃存（3伏高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 34/70頁
文件大?。?/td> 894K
代理商： 28F640C3
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
28
3UHOLPLQDU\
4.5
AC Characteristics—Read Operations
NOTES:
1. OE# may be delayed up to t
t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact on t
ELQV
.
2. Sampled, but not 100% tested.
See
Figure 8, “AC Waveform: Read Operations” on page 32
.
See
Figure 6, “Input/Output Reference Waveform” on page 27
for timing measurements and maximum
allowable input slew rate.
#
Sym
Parameter
Density
8 Mbit
Unit
Product
90 ns
110 ns
V
CC
3.0 V – 3.6 V
2.7 V – 3.6 V
3.0 V – 3.6 V
2.7 V – 3.6 V
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
R1
t
AVAV
Read Cycle Time
80
90
100
110
ns
R2
t
AVQV
Address to Output Delay
80
90
100
110
ns
R3
t
ELQV
CE# to Output Delay
1
80
90
100
110
ns
R4
t
GLQV
OE# to Output Delay
1
30
30
30
30
ns
R5
t
PHQV
RP# to Output Delay
150
150
150
150
ns
R6
t
ELQX
CE# to Output in Low Z
2
0
0
0
0
ns
R7
t
GLQX
OE# to Output in Low Z
2
0
0
0
0
ns
R8
t
EHQZ
CE# to Output in High Z
2
20
20
20
20
ns
R9
t
GHQZ
OE# to Output in High Z
2
20
20
20
20
ns
R10
t
OH
Output Hold from
Address, CE#, or OE#
Change, Whichever
Occurs First
2
0
0
0
0
ns
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PDF描述
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28M0DC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DS 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
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