參數(shù)資料
型號： 28F640C3
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 3伏高級啟動(dòng)塊閃存（3伏高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 60/70頁
文件大小： 894K
代理商： 28F640C3
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
54
3UHOLPLQDU\
C.6
Device Geometry Definition
Table 18. Device Geometry Definition
Offset
Length
Description
Code
See table below
27h
1
“n” such that device size = 2
n
in number of bytes
27:
28h
2
Flash device interface:
x8 async x16 async x8/x16 async
28:
--01
x16
28:00,29:00 28:01,29:00 28:02,29:00
29:
--00
2Ah
2
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
2A:
2B:
--00
--00
0
2Ch
1
Number of erase block regions within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in “bulk”
2. x specifies the number of device or partition regions
with one or more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
4. Partition size = (total blocks) x (individual block size)
2C:
--02
2
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2D:
2E:
2F:
30:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
31:
32:
33:
34:
Device Geometry Definition
Address
8 Mbit
16 Mbit
32 Mbit
64 Mbit
–B
--14
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--0E
--00
--00
--01
–T
--14
--01
--00
--00
--00
--02
--0E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–B
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--1E
--00
--00
--01
–T
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--1E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–B
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--3E
--00
--00
--01
–T
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--3E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–B
--17
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--7E
--00
--00
--01
–T
--17
--01
--00
--00
--00
--02
--7E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
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PDF描述
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
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28M0DC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DS 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
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