參數(shù)資料
型號(hào)： 28F640C3
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 3伏高級(jí)啟動(dòng)塊閃存（3伏高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 37/70頁(yè)
文件大?。?/td> 894K
代理商： 28F640C3
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
3UHOLPLQDU\
31
AC Characteristics—Read Operations, continued
NOTES:
1. OE# may be delayed up to t
t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact on t
ELQV
.
2. Sampled, but not 100% tested.
See
Figure 8, “AC Waveform: Read Operations” on page 32
.
See
Figure 6, “Input/Output Reference Waveform” on page 27
for timing measurements and maximum
allowable input slew rate.
#
Sym
Parameter
Density
64 Mbit
Unit
Product
90 ns
100 ns
V
CC
2.7 V–3.3 V
2.7 V–3.3 V
Note
Min
Max
Min
Max
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
PHQV
t
ELQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
Read Cycle Time
Address to Output Delay
CE# to Output Delay
OE# to Output Delay
RP# to Output Delay
CE# to Output in Low Z
OE# to Output in Low Z
CE# to Output in High Z
OE# to Output in High Z
Output Hold from Address, CE#, or OE#
Change, Whichever Occurs First
90
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
90
90
20
150
100
100
20
150
1
1
2
2
2
2
0
0
0
0
20
20
20
20
R10
t
OH
2
0
0
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
28LV64A 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM)
28M0U 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DC 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0DS 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
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參數(shù)描述
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28F640J3C-120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F640J5 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory
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