- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣IC網(wǎng) > PDF目錄371436 > 28F640C3 (Intel Corp.) 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F640C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 3伏高級(jí)啟動(dòng)塊閃存（3伏高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 894K |
| 代理商： | 28F640C3 |
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28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
3UHOLPLQDU\
37
4.7
Erase and Program Timings
NOTES:
1. Typical values measured at T
= +25 °C and nominal voltages.
2. Excludes external system-level overhead.
3. Sampled, but not 100% tested.
Symbol
Parameter
V
PP
1.65 V–3.6 V
11.4 V–12.6 V
Unit
Note
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
t
BWPB
4-KW Parameter Block
Word Program Time
2, 3
0.10
0.30
0.03
0.12
s
t
BWMB
32-KW Main Block
Word Program Time
2, 3
0.8
2.4
0.24
1
s
t
WHQV1
/ t
EHQV1
Word Program Time for 0.18
Micron Product
2, 3
12
200
8
185
μs
Word Program Time for 0.25
Micron Product
2, 3
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
/ t
EHQV2
4-KW Parameter Block
Erase Time
2, 3
0.5
4
0.4
4
s
t
WHQV3
/ t
EHQV3
32-KW Main Block
Erase Time
2, 3
1
5
0.6
5
s
t
WHRH1
/ t
EHRH1
Program Suspend Latency
3
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/ t
EHRH2
Erase Suspend Latency
3
5
20
5
20
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 28LV64A | 64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM(低壓,64K位, CMOS 并行EEPROM) |
| 28M0U | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DC | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
| 28M0DS | 60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640C3BC80 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3C120 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3C-120 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J3D75 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F640J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory |
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