參數(shù)資料
型號： 28F640C3
廠商： Intel Corp.
英文描述： 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導塊閃速存儲器)
中文描述： 3伏高級啟動塊閃存（3伏高級快速引導塊閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 59/70頁
文件大?。?/td> 894K
代理商： 28F640C3
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3
3UHOLPLQDU\
53
C.5
System Interface Information
Table 17. System Interface Information
Offset
Length
Description
Add.
Hex
Code
Value
1Bh
1
V
CC
logic supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
1B:
--27
2.7 V
1Ch
1
V
CC
logic supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
1C:
--36
3.6 V
1Dh
1
V
PP
[programming] supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
1D:
--B4
11.4 V
1Eh
1
V
PP
[programming] supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
1E:
--C6
12.6 V
1Fh
1
“n” such that typical single word program time-out =2
n
μs
1F:
--05
32 μs
20h
1
“n” such that typical max. buffer write time-out = 2
n
μs
20:
--00
NA
21h
1
“n” such that typical block erase time-out = 2
n
ms
21:
--0A
1 s
22h
1
“n” such that typical full chip erase time-out = 2
n
ms
22:
--00
NA
23h
1
“n” such that maximum word program time-out = 2
n
times typical
23:
--04
512μs
24h
1
“n” such that maximum buffer write time-out = 2
n
times typical
24:
--00
NA
25h
1
“n” such that maximum block erase time-out = 2
n
times typical
25:
--03
8s
26h
1
“n” such that maximum chip erase time-out = 2
n
times typical
26:
--00
NA
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