參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512W3A2SN6E
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 49/51頁(yè)
文件大?。?/td> 1009K
代理商： NAND512W3A2SN6E
Numonyx SLC SP 70 nm
Description
210403 - Rev 3
Figure 1.
Logic diagram
Table 2.
Product description
Root part
number
Density
Bus
width
Page
size
Block
size
Memory
array
Operating
voltage
Timings
Package
Random
access
Max
Sequential
access
Min
Page
program
Typ
Block
erase
Typ
NAND512W3A2S
512
Mbit
x8
512+16
Bytes
16K+512
Bytes
32 pages x
4096 blocks
2.7 to 3.6 V
12 s
30 ns
200 s
2 ms
TSOP48
VFBGA63
NAND512W4A2S
x16
256+8
Words
8K+256
Words
NAND512R3A2S
x8
512+16
Bytes
16K+512
Bytes
1.7 to 1.95 V
15 s
50 ns
NAND512R4A2S
x16
256+8
Words
8K+256
Words
AI07557C
W
I/O8-I/O15, x16
VDD
NAND flash
E
VSS
WP
AL
CL
RB
R
I/O0-I/O7, x8/x16
8
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NAND512W3A2SZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel 制造商:Micron Technology 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512W4A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W4A0AZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays
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