參數(shù)資料
型號： NAND512W3A2SN6E
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 39/51頁
文件大?。?/td> 1009K
代理商： NAND512W3A2SN6E
DC and AC parameters
Numonyx SLC SP 70 nm
210403 - Rev 3
Figure 29.
Program/erase enable waveforms
Figure 30.
Program/erase disable waveforms
10.1
Ready/Busy signal electrical characteristics
Figure 31, Figure 32 and Figure 33 show the electrical characteristics for the Ready/Busy
signal. The value required for the resistor RP can be calculated using the following equation:
So,
where IL is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. RP
max is determined by the maximum value of tr.
W
RB
tVHWH
ai12477
WP
I/O
80h
10h
W
RB
tVLWH
ai12478
WP
I/O
80h
10h
High
R
P
min
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
-------------------------------------------------------------
=
R
P
min 1.8V
()
1.85V
3mA
IL
+
---------------------------
=
R
P
min 3V
()
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
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