參數(shù)資料
型號(hào): NAND512W3A2SN6E
元件分類: PROM
英文描述: 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48
封裝: 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù): 40/51頁
文件大?。?/td> 1009K
代理商: NAND512W3A2SN6E
Numonyx SLC SP 70 nm
DC and AC parameters
210403 - Rev 3
Figure 31.
Ready/Busy AC waveform
Figure 32.
Ready/Busy load circuit
NI3087
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
1.8 V device - VOL: 0.1 V, VOH : VDD - 0.1 V
3.3 V device - VOL: 0.4 V, VOH : 2.4 V
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
DEVICE
Open Drain Output
ibusy
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NAND512W3A2SZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel 制造商:Micron Technology 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512W4A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W4A0AZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays