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參數(shù)資料
| 型號： | GE28F640W30TD70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| 封裝： | 0.75 MM PITCH, VFBGA-56 |
| 文件頁數(shù)： | 87/104頁 |
| 文件大?。?/td> | 1443K |
| 代理商： | GE28F640W30TD70 |
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28F640W30, 28F320W30, 28F128W30
Datasheet
Intel Wireless Flash Memory (W30)
June 2005
Order Number: 290702, Revision: 011
83
14.1
Read Mode (RCR[15])
All partitions support two high-performance read configurations:
synchronous burst mode
asynchronous page mode (default)
RCR[15] sets the read configuration to one of these modes.
Status register, query, and identifier modes support only asynchronous and single-synchronous read
operations.
14.2
First Access Latency Count (RCR[13:11])
The First Access Latency Count (RCR[13:11]) configuration tells the flash device how many
clocks must elapse from ADV# de-assertion (VIH) before driving the first data word onto its data
pins. The input clock frequency determines this value. See Table 27, “Read Configuration Register
Definitions” on page 81 for latency values.
14.2.1, “Latency Count Settings” on page 84 for Latency Code Settings.
Note:
Other First Access Latency Configuration settings are reserved.
)
Figure 38.
First Access Latency Configuration
Code 5
Code 4
Code 3
Code 2
Valid
Address
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Address [A]
ADV# [V]
CLK [C]
D[15:0] [Q]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEN12.5-120 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GEN12.5-60 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GFL750 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL500 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL350 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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