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參數(shù)資料
| 型號： | GE28F640W30TD70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| 封裝： | 0.75 MM PITCH, VFBGA-56 |
| 文件頁數(shù)： | 41/104頁 |
| 文件大?。?/td> | 1443K |
| 代理商： | GE28F640W30TD70 |
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28F640W30, 28F320W30, 28F128W30
Datasheet
Intel Wireless Flash Memory (W30)
June 2005
Order Number: 290702, Revision: 011
41
Notes:
1.
VCC power-up and standby.
2.
Write Program or Erase Setup command.
3.
Write valid address and data (for program) or Erase Confirm command.
4.
Automated program/erase delay.
5.
Read status register data (SRD) to determine program/erase operation completion.
6.
OE# and CE# must be asserted and WE# must be deasserted for read operations.
7.
CLK is ignored (but can be kept active/toggling).
Figure 16.
Write Operations Waveform
Note 1
Note 2
Note 3
Note 4
Note 5
Address [A]
V
IH
V
IL
Valid
Address
Valid
Address
CE# (WE#) [E(W)]
V
IH
V
IL
Note 6
OE# [G]
V
IH
V
IL
WE# (CE#) [W(E)]
V
IH
V
IL
RST# [P]
V
IH
V
IL
W6
W7
W8
W11
W12
R105
VPP [V]
V
PPH
V
PPLK
V
IL
WP# [B]
V
IH
V
IL
Data [Q]
V
IH
V
IL
Data In
Valid
SRD
ADV# [V]
V
IH
V
IL
W16
W1
W2
W3
W4
W9
W10
W13
W14
R101
R106
Data In
Valid
Address
Note 6
R104
W5
W18
W19
W20
CLK [C]
V
IH
V
IL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEN12.5-120 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GEN12.5-60 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GFL750 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL500 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL350 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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