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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F640W30TD70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| 封裝： | 0.75 MM PITCH, VFBGA-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/104頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1443K |
| 代理商： | GE28F640W30TD70 |
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28F640W30, 28F320W30, 28F128W30
June 2005
Intel Wireless Flash Memory (W30)
Datasheet
44
Order Number: 290702, Revision: 011
7.4
Erase and Program Times
Table 14.
Erase and Program Times
Operation
Symbol
Parameter
Description1
Notes
VPPL
VPPH
Unit
Typ
Max
Typ
Max
Erasing and Suspending
Erase Time
W500
tERS/PB
4-Kword Parameter Block
0.3
2.5
0.25
2.5
s
W501
tERS/MB
32-Kword Main Block
0.740.4
4
s
Suspend
Latency
W600
tSUSP/P
Program Suspend
5
10
5
10
s
W601
tSUSP/E
Erase Suspend
5
20
5
20
s
Programming
Program
Time
W200
tPROG/W
Single Word
12
150
8
130
s
W201
tPROG/PB
4-Kword Parameter Block
0.05
.23
0.03
0.07
s
W202
tPROG/MB
32-Kword Main Block
0.4
1.8
0.24
0.6
s
Enhanced Factory Programming5
Program
W400
tEFP/W
Single Word
N/A
3.5
16
s
W401
tEFP/PB
4-Kword Parameter Block
N/A
15
-
ms
W402
tEFP/MB
32-Kword Main Block
N/A
120
-
ms
Operation
Latency
W403
tEFP/SETUP
EFP Setup
-
N/A
-
5
s
W404
tEFP/TRAN
Program to Verify Transition
-
N/A
2.7
5.6
s
W405
tEFP/VERIFY
Verify
-
N/A
1.7
130
s
Notes:
1.
Unless noted otherwise, all parameters are measured at TA = +25 °C and nominal voltages, and are sampled, not 100%
tested.
2.
Excludes external system-level overhead.
3.
Exact results might vary based on system overhead.
4.
W400-Typ is the calculated delay for a single programming pulse. W400-Max includes the delay when programming
within a new word-line.
5.
Some EFP performance degradation might occur if block cycling exceeds 10.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEN12.5-120 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GEN12.5-60 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GFL750 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL500 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL350 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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