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參數(shù)資料
| 型號： | GE28F640W30TD70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA56 |
| 封裝： | 0.75 MM PITCH, VFBGA-56 |
| 文件頁數(shù)： | 85/104頁 |
| 文件大?。?/td> | 1443K |
| 代理商： | GE28F640W30TD70 |
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28F640W30, 28F320W30, 28F128W30
Datasheet
Intel Wireless Flash Memory (W30)
June 2005
Order Number: 290702, Revision: 011
81
14.0
Set Read Configuration Register
The Set Read Configuration Register (RCR) command sets the burst order, frequency
configuration, burst length, and other parameters.
A two-bus cycle command sequence initiates this operation. The read configuration register data is
placed on the lower 16 bits of the address bus (A[15:0]) during both bus cycles.
1. The Set Read Configuration Register command is written, along with the configuration data
(on the address bus).
2. A second write confirms the operation and again presents the read configuration register data
on the address bus.
3. The read configuration register data is latched on the rising edge of ADV#, CE#, or WE#
(whichever occurs first).
This command functions independently of the applied VPP voltage. After executing this command,
the flash device returns to read-array mode.
To examine the contents of the read configuration register, write the Read Identifier command and
Table 27.
Read Configuration Register Definitions
Read
Mode
Res’d
First Access Latency
Count
WAIT
Polarity
Data
Output
Config
WAIT
Confi
g
Burst
Seq
Clock
Confi
g
Res’
d
Res’
d
Burst
Wrap
Burst Length
RM
R
LC2
LC1
LC0
WP
DOC
WC
BS
CC
R
BW
BL2
BL1
BL0
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEN12.5-120 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GEN12.5-60 | Programmable DC Power Supplies 750W/1500W |
| GFL750 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL500 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| GFL350 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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