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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ADSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 512M比特的XDR DRAM的⑩ |
| 文件頁數(shù)： | 9/78頁 |
| 文件大小： | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
9
EDX5116ADSE
Figure 2
512Mb (8x4Mx16) X DR DRAM Block Diagram
1
1:2 Demux
Decode
12
RQ11..0
1:16 Demux
16:1 Mux
16/t
CC
2/t
CYCLE
reg
12
12
CFMCFMN
1/t
CYCLE
2/t
CYCLE
16/ t
CC
1/t
CYCLE
12
12
4
RST,SCK,CMD,SDI
Control Registers
1
SDO
16x16*2
6
*2
12
ACT delay
{0..1}*t
CYCLE
1/t
RR
ACT logic
.
.
d
Bank 0
1
ACT
ACT
ROW
1
1/t
PP
.
d
1
PRE
PRE
PRE delay
{0..3}*t
CYCLE
PRE logic
ROW
.
Sense Amp 0
.
1
r
1/t
CC
.
d
1
R/W
R/W
COL
COL
RD,WR
delay
COL logic
.
.
7
BA,BR,REFBr
R,REFr
BP,BR,REFB r
BC
C
SC
M
.
Bank Array
Sense Amp Array
16x16*2
6
8
.
.
.
.
Dynamic Width Demux (WR)
16x16
r
termination
VTERM
2
1
VREF
REFB,REFr
WIDTH
{0..1}*t
CYCLE
DQ15..0
DQN15..0
16
16
16
16
16/t
CC
16x16*2
6
16x16
16x16
16x16
4
3
3
3
3
3
6+4
12
(2
3
- 1)
Bank
(2
3
- 1)
Sense Amp
2
3
2
3
3
6
16x16*2
6
12
2
3
16
D[15:0][15:0]
S[15:0][15:0]
16
16x16
16x16
WIDTH
Q[15:0][15:0]
Dynamic Width Mux (RD)
Byte Mask (WR)
Power Mode Logic
Calibration Logic
Refresh Logic
Initialization Logic
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3B-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3A-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR? DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDXSPECTRUMDAT/5962R8773901VDA | 制造商:Analog Devices 功能描述:SPECTRUM ANALYSIS - Literature |
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