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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDX5116ADSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 512M比特的XDR DRAM的⑩ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 61/78頁(yè) |
| 文件大小： | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
61
EDX5116ADSE
Supply Current Profile
In this section, Table 15 summarizes the supply currents (I
DD
and I
TERM,DRSL
) that characterize this memory component.
These parameters are shown under different operating condi-
tions.
Table 15
Supply Current Profile
Symbol
Power State and Steady State Transaction
Rates
Maximum
@t
CYCLE
= 2.000 ns
@ x16/x8/x4 width
Maximum
@t
CYCLE
= 2.500 ns
@ x16/x8/x4 width
Units
I
DD,PDN
Device in PDN, self-refresh enabled.
a
30/30/30
25/25/25
mA
I
DD,STBY
Device in STBY. This is for a device in STBY
with no packets on the Channel
a
300/300/300
250/250/250
mA
I
DD,ROW
ACT command every t
RR
,
PRE command every t
PP
a
610/610/610
500/500/500
mA
I
DD,WR
ACT command every t
RR
,
PRE command every t
PP
,
WR command every t
CC.a
1130/980/880
930/810/730
mA
I
DD,RD
ACT command every t
RR
,
PRE command every t
PP
,
RD command every t
CCa
1180/1030/960
980/860/800
mA
I
TERM,DRSL,WR
WR command every t
CC.b, c
145/85/55
145/85/55
mA
I
TERM,DRSL,RD
RD command every t
CC.b
250/140/85
250/140/85
mA
a. I
DD
current @ V
DD,MAX
flowing into VDD pins
b. I
TERM,DRSL
current @ V
TERM,DQ,MAX
flowing into VTERM pins
c. Mesurement condition: DQ/DQN input swing level is 300mV.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| EDX5116ADSE-3B-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| EDX5116ADSE-3B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR? DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDXSPECTRUMDAT/5962R8773901VDA | 制造商:Analog Devices 功能描述:SPECTRUM ANALYSIS - Literature |
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