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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDX5116ADSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 512M比特的XDR DRAM的⑩ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/78頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
29
EDX5116ADSE
Figure 12
Write/Read Interac tion
T
0
T
1
T
2
T
3
CFM
CFMN
RQ11..0
T
4
T
5
T
6
T
7
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
T
8
Transaction a: WR
Transaction b: RD
a1 = {Ba,Ca1}
b1 = {Bb,Cb1}
Write/Read Turnaround Example
a2 = {Ba,Ca2}
b2 = {Bb,Cb2}
b2
RD
T
0
T
1
T
2
T
3
CFM
CFMN
RQ11..0
T
4
T
5
T
6
T
7
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
T
8
b2
WR
D(b2)
t
CWD
Q(b2)
Q(b1)
t
CAC
a1
WR
t
CAC
a1
RD
t
CWD
b1
WR
D(b1)
t
Δ
RW
D(a2)
Q(a2)
a2
RD
D(a1)
Q(a1)
Read/Write Turnaround Example
t
CYCLE
t
CYCLE
b1
RD
a2
WR
t
Δ
WR
DQ15..0
DQN15..0
DQ15..0
DQN15..0
t
RW-BUB,
XDRDRAM
t
CC
t
CC
t
WR-BUB,
XDRDRAM
t
CWD
t
DR
Transaction a: WR
Transaction b: RD
a1 = {Ba,Ca1}
b1 = {Bb,Cb1}
a2 = {Ba,Ca2}
b2 = {Bb,Cb2}
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3B-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3A-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR? DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDXSPECTRUMDAT/5962R8773901VDA | 制造商:Analog Devices 功能描述:SPECTRUM ANALYSIS - Literature |
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