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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ADSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 512M比特的XDR DRAM的⑩ |
| 文件頁數(shù)： | 69/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
69
EDX5116ADSE
Figure 51
DRS L DQ Transmit Waveforms
t
Q,DQ,MAX
CFM
CFMN
[(j+0.5)/8]t
CYCLE
DQ0
DQN0
t
QOFF,DQ0
2
3
0
1
6
7
4
5
j
14
15
[(j-0.5)/8]t
CYCLE
t
Q,DQ,MIN
t
CYCLE
j = {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15}
t
Q,DQ,MAX
[(j+0.5)/8]t
CYCLE
DQi
DQni
t
QOFF,DQi
2
3
0
1
6
7
4
5
j
14
15
[(j-0.5)/8]t
CYCLE
t
Q,DQ,MIN
t
Q,DQ,MAX
[(j+0.5)/8]t
CYCLE
2
3
0
1
6
7
4
5
j
14
15
[(j-0.5)/8]t
CYCLE
t
Q,DQ,MIN
t
QOFF,MIN
t
QOFF,MAX
...
...
...
...
...
...
.
.
80%
20%
V
OL,DQ
logic “0”
logic “1”
V
OH,DQ
...
t
OF,DQ
t
OR,DQ
t
OF,DQ
t
OR,DQ
t
OF,DQ
t
OR,DQ
80%
20%
V
OL,DQ
logic “0”
logic “1”
V
OH,DQ
80%
20%
V
OL,DQ
logic “0”
logic “1”
V
OH,DQ
i = {0,1,2,3,4,5,...15}
DQ15
DQN15
t
QOFF,DQ15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3B-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3A-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR? DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDXSPECTRUMDAT/5962R8773901VDA | 制造商:Analog Devices 功能描述:SPECTRUM ANALYSIS - Literature |
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