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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ADSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 512M比特的XDR DRAM的⑩ |
| 文件頁數(shù)： | 67/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
67
EDX5116ADSE
Figure 50
DRS L DQ Rec eive Waveforms
t
S,DQ
CFM
CFMN
[(j)/8]t
CYCLE
DQ0
DQN0
t
DOFF,DQ0
1
2
0
5
6
3
4
j
14
15
t
H,DQ
t
CYCLE
j = {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15}
DQi
DQNi
t
DOFF,DQi
1
2
0
5
6
3
4
j
14
15
1
2
0
5
6
3
4
j
14
15
t
DOFF,MIN
t
DOFF,MAX
...
...
...
...
...
...
.
.
V
IH,DQ
80%
V
IL,DQ
logic 0
logic 1
...
t
S,DQ
[(j)/8]t
CYCLE
t
H,DQ
t
S,DQ
[(j)/8]t
CYCLE
t
H,DQ
t
IF,DQ
t
IR,DQ
t
IF,DQ
t
IR,DQ
20%
t
IF,DQ
t
IR,DQ
V
IH,DQ
80%
V
IL,DQ
logic 0
logic 1
20%
V
IH,DQ
80%
V
IL,DQ
logic 0
logic 1
”
20%
i = {0,1,2,3,4,5,...15}
DQ15
DQN15
t
DOFF,DQ15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3B-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3A-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR? DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDXSPECTRUMDAT/5962R8773901VDA | 制造商:Analog Devices 功能描述:SPECTRUM ANALYSIS - Literature |
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