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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ADSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 512M比特的XDR DRAM的⑩ |
| 文件頁數(shù)： | 2/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
2
EDX5116ADSE
Ordering Information
Part Number
Part number
Organization
Bandwidth (1/tBIT)*
1
Latency (tRAC)*
2
Bin
Package
EDX5116ADSE-4D-E
EDX5116ADSE-3C-E
EDX5116ADSE-3B-E
EDX5116ADSE-3A-E
4M
×
16
×
8 banks
4.0G
3.2G
3.2G
3.2G
34
35
35
27
D
C
B
A
104-ball FBGA
Elpida Memory
Density
51: 512M (x 16bit)
Organization
16: x16bit
Power Supply, Interface
A: 1.8V, DRSL
Die Rev.
Package
SE: FBGA
Product Family
X: XDR DRAM
Type
D: Monolithic Device
E D X 51 16 A D SE - 4D - E
Environment Code
E: Lead Free
(RoHS compliant)
Speed
4D: 4.0G (tRAC = 34, D Bin)
3C: 3.2G (tRAC = 35, C Bin)
3B: 3.2G (tRAC = 35, B Bin)
3A: 3.2G (tRAC = 27, A Bin)
Notes:1. Data rate measured in Mbit/s per DQ differential pair. Note that tBIT = t
CYCLE
/8
2. Read access time t
RAC
(= t
RCD-R
+
t
CAC
) measured in ns.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3B-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3A-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR? DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDXSPECTRUMDAT/5962R8773901VDA | 制造商:Analog Devices 功能描述:SPECTRUM ANALYSIS - Literature |
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